Manajemen E-Corporation

Komponen utamanya, seperti ini:
1.Sambungan USB
2.Perangkat pengontrol penyimpanan massal USB
3.Titik-titik percobaan
4.Chip flash memory
5.Oscillaator crystal
6.LED
7.Write-protect switch
8.Ruang kosong untuk chip flash memory kedua

Flash memori diproduksi dengan dua konfigurasi utama, yaitu NOR flash dan NAND flash. Kedua-duanya menyimpan informasi dalam array dari floating gate transistor yang disebut dengan istilah ”cell”, tetapi terdapat perbedaan pengaturan dan pengaksesan cell-cell tersebut.
Dalam NOR flash, cell dihubungkan secara paralel ke bit line, sehingga setiap cell dapat dibaca
dan diprogram sendiri-sendiri. Sedangkan dalam NAND flash, cell dihubungkan secara serial sehingga dapat dibaca dan diprogram secara berkelompok.
Desain NAND ini memungkinkan densitas array memori NAND mencapai hampir dua kali dari memori NOR, dengan biaya yang lebih murah.

NAND Flash
NAND Flash memiliki protokol khusus untuk penulisan dan pembacaan data. Berbeda dengan DRAM, NAND memory harus diakses dengan satuan diskrit. Satuan kecil penulisan dan pembacaan data adalah page. Page yang telah terisi data tidak bisa langsung ditumpuki dengan
data baru, namun harus dihapus terlebih dahulu. Sedangkan satuan terkecil penghapusan data adalah block, yang biasanya terdiri dari 64 atau 128 page. Hal penting lainnya untuk media yang yang menggunakan NAND flash adalah pengaturan ukuran baca dengan tulis yang tidak simetris.

Tabel Waktu Eksekusi NAND Flash (SLC)


Tampak pada tabel di atas, penulisan ke NAND flash sangat lambat dibandingkan pembacaannya. Penulisan ke page 8 kali lebih lambat daripada pembacaan page. Penghapusan block, yang jarang dilakukan, tetapi termasuk bagian dari penulisan/pemrograman NAND, tujuh kali lebih lambat bila dibandingkan dengan penulisan page. Walaupun perbedaan waktu eksekusi yang cukup besar ini berusaha ditangani, adalah penyebab semua media penyimpanan yang menggunakan NAND, misalkan USB drive atau solid state drive memiliki performansi baca yang lebih baik bila dibandingkan dengan performansi tulis.

Gambar Cell dalam Flash Memory

Flash memory adalah sejenis chip EEPROM. Flash memory memiliki deretan kolom dan baris dengan sebuah cell yang memiliki dua buah transistor pada masing-masing persimpangannya, seperti tampak pada Gambar 7. Kedua transistor dipisahkan antara satu dan lainnya dengan menggunakan sebuah lapisan oxide tipis. Salah satu dari transistor tersebut dinamakan floating gate dan yang satunya dinamakan control gate. Jika link ini terhubung, maka cell yang bersangkutan akan memiliki nilai 1. Untuk mengubahnya menjadi bernilai 0 diperlukan proses yang dinamakan Fowler-Nordheim tunneling.
Gerbang NAND flash menggunakan tunnel injection untuk menulis data dan tunnel release untuk menghapus. NAND flash memory merupakan pembentuk media penyimpanan USB, antara lain USB flash drive, memory card, dan berbagai macam media penyimpanan Nintendo DS seperti N-Card.